هنوز هم در الكترونيك صنعتي در كاربردهاي ولتاژ بالا و جريان بالا از تريستورها استفاده ميكنيم.انواع جديدي از تريستورها ساخته شده كه عبارتند از:

1- در اين تريستورها سرعت سوئيچ پايين بوده و در حدود 50 تا 100 ميكرو ثانيه است.اين تريستورها كاربردهاي عمومي مثل كنترل زاويه فاز يا يكسوكننده اي كنترل شده را دارند.
معمولا هم با كموتاسيون طبيعي خاموش ميشوند.
2- در اين نوع از تريستورها سرعت سوئيچ از 5 تا 50 ميكرو ثانيه است و كموتاسيون اجباري دارند.هرجايي كه نياز به سرعت بالا در قطع و وصل باشد مثل اينورترها و يكسوكننده هاي دو جهته ميتوان از آنها استفاده كرد.
3- اين نوع از تريستورها با اعمال يك پالس مثبت به گيتشان روشن ميشوند و با اعمال يك پالس منفي به گيتشان خاموش خواهند شد.به دليل به وجود آمدن يك ناحيه خاص در پيوند قطعات pوn اين المان در حين سوئيچ شدن از حالت صفر به يك سرعت سوئيچش كمي كاهش مي يابد.
بهترين مزيت GTO نداشتن مدار كموتاسيون و در نتيجه حذف نويزهاي اضافي اين مدارات است.
4- همان تراياك است كه در دو جهت ميتواند عمل هدايت را با تحريك گيتش انجام دهد.

5- يك تريستور است كه مانند شكل زير يك ديود به صورت موازي با آن قرار گرفته است.

اين نوع تريستور در مدارهاي چاپر و اينورتر كاربرد دارد زيرا ديود موازي شده تريستور را در برابر جريانهاي برگشتي از المانهاي اندوكتانسي مثل سلف ها و ترانسها محافظت ميكند.
6- اين المان جديد كه SITH نام دارد با اعمال يك پالس مثبت به گيتش روشن شده و با اعمال يك پالس مثبت به گيتش خاموش ميشود.
سرعت اين المان در حد 1 تا 5 ميكرو ثانيه است كه از بقيه انواع تريستورها سريعتر است.همچنين داراي dv/dt‌و di/dt قابل توجهي است.
7-همان طوري كه از اسمش پيدا است در به وسيله تابش نور به گيتش فعال ميشود و كاربرد آن در سيستمهاي ولتاژ و جريان بالا مثل HVDC ها است.
8-از موازي شدن يك MOSFET  با يك تريستور تشكيل شده است.خيلي ساده با تحريك گيت MOSFET تريستور روشن ميشود.

9- ساختمان داخلي اين المان به صورت شكل زير است

مشخصات خوب اين المان عبارتند از:
سرعت سوئيچ بالا،تلفات توان كم،مقدار افت ولتاژ كم در حين هدايت و امپدانس ورودي بالا